GaNデバイスを実際に使わずにシミュレーションできることは、設計プロセスにおいて非常に重要なステップです。より詳細な電気的シミュレーションのために、EPCは、物理ベースの関数と現象論的関数の合成物を利用して、導電率としきい値パラメータに対する温度の影響を含む許容可能なシミュレーションと収束特性を備えたコンパクトなSpiceモデルを実現しています。これらは、EPCのデバイス・モデルのページにあり、EPCのCircuit Simulation Using EPC Device Modelsでは、これらのモデルについて詳しく説明しています。サポートされているモデル形式には、Spice、P-Spice、Simplis/SIMetrix、Spectre、T-Spiceがあります。

aNデバイスは、置き換えられるパワーMOSFETよりも1/10～1/15に小さくすることができます。ただし、チップスケール・パッケージは、複数側面の冷却が可能であり、これが使われている PQFNパッケージは、電気的性能を犠牲にすることなく、非常に熱効率が優れています。GaN FETサーマル・カリキュレータを使うと、損失が決定されたら、熱ソリューションを最適化できます。