熱抵抗は、ディスクリート・パワー・デバイスの能力を決める主要な要素です。デバイスの熱特性から、ユーザーのアプリケーションに対する最大消費電力と最大電流の両方を導き出すことができます。eGaN FETの熱抵抗測定のテスト方法と結果は、アプリケーション・ノートのEPCのeGaN FETの熱特性に記載されています。

シンプルな熱管理ガイドラインによるシンプルで費用対効果の高い熱管理方策によって、GaN FETからの熱伝導性が向上し、熱特性が最適化されます。基板側冷却方策と裏面冷却方策の影響は、How2AppNote012：ヒートシンク付き高電力密度eGaNベース・コンバータの出力電力を一段と高める方法で分析されています。概要を以下に示します。

EPCのGaN FETは、両面冷却を利用して、高電力密度設計での放熱能力を最大化できることに留意することが重要です。これについては、How2AppNote012：ヒートシンク付き高電力密度eGaNベース・コンバータの出力電力を一段と高める方法で詳しく説明されています。

Thermal interface materials (TIM) are a critical part of the cooling system when using top sided cooling. Since GaN devices are very small, effective cooling relies on the heat-spreading effect of the heatsink, however, the TIM layer does not benefit from this. Because of its small area, the TIM layer ends up being a significant contributor to the overall R_th,J-A, and therefore the use of high thermal conductivity materials is very beneficial. The TIM layer also has a very important second role: to electrically isolate the GaN devices from the heatsink since the top of EPC GaN FETs are connected to source potential.

EPC has gathered some information on TIM materials to help designer in their search:

TIM Pads

TIM compound and greases

GaN FETのサーマル・カリキュレータを使うと、熱設計をさらに最適化できます。このGaN FETのサーマル・カリキュレータを使うと、損失を決定した後、熱ソリューションを最適化できます。

Try it Now

• How2AppNote012：ヒートシンク付き高電力密度eGaNベース・コンバータの出力電力を一段と高める方法
• チップスケール・デバイスの熱管理
• チップスケール・パッケージ封止窒化ガリウム・トランジスタの熱特性の改善
• ウエビナ：GaN FETの熱管理