2025年1月15日 7:00 - 08:30
宇宙用途向けGaN
場所： Virtual Event
インドのCentre for Semiconductor Technologies（SemiX）のウエビナ・シリーズ
宇宙用途向けGaN
Alex Lidow（アレックス・リドウ）、Ph.D.
概要：
窒化ガリウム（GaN）技術は、従来のシリコンMOSFETに比べて、大きな利点を提供することで、宇宙エレクトロニクスの状況を一変させています。EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が主導するこのウエビナでは、大きさ、重さ、効率、信頼性、耐放射線性など、宇宙での利用に不可欠な要素について考察します。参加者は、EPCの最先端のGaNプラットフォームの進化、性能の比較、宇宙システムにおけるGaNトランジスタと集積回路の実際のアプリケーションについて理解を深めることができます。
主なトピック：
- GaN対シリコン：性能、耐放射線性、効率
- 製品概要：宇宙向けのディスクリートおよび統合したパワー段
- 実際の導入と成功事例
登録情報は近日公開予定
2025年3月16日 - 2025年3月20日
APEC 2025でEPCにおいでください
場所： Atlanta, GA
米国ジョージア州アトランタで開催されるApplied Power Electronics Conference（APEC）のブース番号1231のEPCに、ぜひお立ち寄りください。EPCは、実際のアプリケーションにおける窒化ガリウム（GaN）電力変換ソリューションの業界で最も包括的なポートフォリオを展示できることを誇りに思っています。
詳細は後ほどお知らせします。
2025年3月25日 - 2025年3月25日
Compound Semiconductor Asia Conference 2025, SEMICON China
場所： Shanghai, China
2025年3月31日 - 2025年4月4日
EPE’25
場所：
フランスのパリ
この論文では、並列接続したGaN FETのスイッチング動作に対する寄生容量の影響を調べました。スイッチング過渡時の電流共有能力を調べるために、各デバイスを独立して駆動し、個別のソース・シャントを使ってモニターする実験基板を開発しました。シミュレーションと実験の結果から、寄生容量が過渡電流のピークに与える影響についての洞察が得られ、信頼性の高い動作のための最大許容容量が特定されます。これらの知見は、大電流用途向けに並列接続したGaN FETを使う丈夫なパワー・モジュールの設計をサポートします。
講演者: Professor Salvatore Musumeci 教授 （伊トリノ工科大学）
https://epe2025.com/