48V Automotive Demos

48 Vの自動車用電源セミナー

48 Vの自動車用電源セミナー

AEC認定のGaNデバイス

型番 構成 VDS Max
RDS(ON)
(mΩ)
(VGS = 5 V)
QG
標準値
(nC)
QGS
標準値
(nC)
QGD
標準値
(nC)
QOSS
標準値
(nC)
パルスIDのID(A)
(25°C, Tpulse = 300µs)
パッケージ
(mm)
ハーフブリッジ開発基板
EPC2216 GaN FET
EPC2216 シングル 15 26 0.87 0.21 0.13 0.53 28 BGA 0.85 x 1.2 購入
EPC2206 GaN FET
EPC2206 シングル 80 2.2 15 4.1 3 72 390 LGA 6.05 x 2.3 購入
EPC2202 GaN FET
EPC2202 シングル 80 17 3.2 1 0.55 18 75 LGA 2.1 x 1.6 購入
EPC2214 GaN FET
EPC2214 シングル 80 20 1.8 0.5 0.3 8 47 BGA 1.35 x 1.35 購入
EPC2203 GaN FET
EPC2203 シングル 80 80 0.67 0.22 0.12 3.6 17 BGA 0.9 x 0.9 購入
EPC2212 GaN FET
EPC2212 シングル 100 13.5 3.2 0.9 0.6 18 75 LGA 2.1 x 1.6 購入

GaNの信頼性

このフェーズ11の信頼性レポートは、これまでの10本のレポート[1-10]で公開されている知識ベースの増加に追加され、いくつかの重要な新しいトピックをカバーしています。窒化ガリウム(GaN)のパワー・デバイスは、2010年3月から量産されており、フィールドでの信頼性の記録を樹立しています。このレポートでは、この実績を達成するために採用した戦略について説明します。この戦略は、この業界に強靭な製品を供給するために、さまざまな条件下でデバイスを強制的に故障させるというテストに基づいています。

Alejandro Pozo、Ph.D.、Shengke Zhang、Ph.D.、Ricardo Garcia、John Glaser、Ph.D.、Robert Strittmatter、Ph.D.、Efficient Power Conversion Corporation

信頼性レポートのフェーズ11:全文

Phase 11 reliability