GaNベース設計の性能を最大化するための設計のヒント
日付：2022年10月18日
時間：午前10時（東京時間） 今すぐ登録！
セミナー時間：1時間
窒化ガリウム（GaN）FETが、従来のシリコンFETと比べて、優れた回路内性能を示していることは、パワー・エレクトロニクス業界全体で広く知られています。このウエビナでは、簡単で安価な設計手法をいくつか採用することで、GaN FETの使用がシリコンFETの使用と同じくらい簡単になることを示します。このウエビナに参加して、高性能電力変換回路でGaNトランジスタを使って最大の性能を得るための基本的な手法を見つけてください。
このウエビナでは、以下について説明します：
- GaNの速度を最大限に活用するための最適なレイアウト手法。
- GaN設計からさらに大きな電力を引き出すためのシンプルで安価な放熱技術とオンライン・ベースのサーマル・カリキュレータの検討。
- さまざまなアプリケーションでのデッドタイム、逆回復電荷QRR、出力電荷COSSの影響の理解。
- あなたの設計パラメータを使って、あなたの設計に最適なGaN FETを提案するオンラインのクロスリファレンス・ツールのデモ。
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