How to GaN Webinar Series

設計のヒントのウエビナ

GaN設計で性能を最大化するための簡単な設計のヒント

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このウエビナに参加して、最大性能を得るために、高性能電力変換回路にGaNトランジスタを使う基本的な技術を理解してください。

以下の詳細を知るためにウエビナに参加しましょう:

  • GaNの速度を最大限に活用するための最適レイアウト技術
  • シンプルで安価な熱の放散技術によって、GaNの設計から、より大きな電力を引き出す
  • 高速スイッチングにもかかわらず、eGaN® FETがMOSFETよりもEMI雑音の発生が小さい理由

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Alex Lidow

講演者:は、Efficient Power Conversion Corporation(EPC)のCEO(最高経営責任者)で共同創立者です。EPCを設立する前は、米インターナショナル・レクティファイアー社のCEOでした。HEXFETパワーMOSFETの共同発明者である同氏は、パワー半導体技術で多くの特許を取得しており、関連するテーマについて数多くの出版物を執筆しています。最新の第3版は出版社John Wiley and Sonsから発行されています。米カリフォルニア工科大学で理学士号、米スタンフォードで博士号を取得しています。

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