自動車のウエビナ

GaN・・・自動車システムの変化を牽引する

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このウエビナに参加して、今日の自動車で使われているシリコンMOSFETではこれまでに得られないほど高い電力密度で、高い効率と高い信頼性を可能にすることによって、GaNベースのソリューションが自動車システムをどのように改善しているかをご覧ください。

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GaNベースの48 V入力、12 V出力で3 kWの双方向コンバータによって、48 Vのマイルド・ハイブリッド・システムのサイズを小型化し、効率を高め、コストを削減する方法。
GaNベースの2 MHzのコンバータによって、車載のインフォテインメントやADAS（先進運転支援システム）の電力損失を40％〜50％削減する方法。
GaNデバイスによって、48 Vの車載用モーターに電力を供給し、大きさと重さを削減し、効率を高めて、バッテリー寿命を延ばす方法。
eGaN^®デバイスが、より解像度を高め、より距離を長くする能力、および、低コスト化を提供することによって、Lidar（光による検出と距離の測定）や、その他の自動車の飛行時間（ToF：time of flight）システムを実現する方法
eGaN FETとICは小型にもかかわらず、優れた熱特性、低いEMI（電磁干渉）雑音、並ぶもののないフィールド信頼性を提供する方法。

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講演者：は、Efficient Power Conversion Corporation（EPC）のCEO（最高経営責任者）で共同創立者です。EPCを設立する前は、米インターナショナル・レクティファイアー社のCEOでした。HEXFETパワーMOSFETの共同発明者である同氏は、パワー半導体技術で多くの特許を取得しており、関連するテーマについて数多くの出版物を執筆しています。最新の第3版は出版社John Wiley and Sonsから発行されています。米カリフォルニア工科大学で理学士号、米スタンフォードで博士号を取得しています。