信頼性のウエビナ

窒化ガリウム（GaN）・デバイスは、2010年3月以来、大量生産されており、実験室でのテストと大量の顧客アプリケーションの両方で、フィールドでの信頼性の記録は非常に優れており、非常に高い信頼性を示しています。このウエビナでは、さまざまなストレス条件とアプリケーションにわたるGaNデバイスの動作の理解を継続するために実施された広範な信頼性テストと、その知識を使って、さらに耐久性の高いデバイスを製作する方法について詳しく説明します。

このウエビナでは、以下について説明します：

• 電圧と温度の全範囲にわたるゲート・ストレス下で、eGaNデバイスの寿命予測の裏付けをサポートする物理ベースの寿命モデル。
• 第一原理数学モデルは、表面トラップへのホット・キャリア散乱の基本的な物理からのeGaN FETの動的オン抵抗R_DS(on)効果を説明します。このモデルは、より複雑なミッション・プロファイルでの電圧と温度の全体にわたる寿命を予測するために最も役立ちます。
• 4年間および2260億時間の運用にわたって生成されたフィールド信頼性データ。そのほとんどは車載されているか、通信基地局で使われています。

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