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GaNトランジスタとICは、固有の放射線耐性と優れた回路性能によって、高信頼性アプリケーションで大きな牽引力となっています。このウエビナでは、EPCと米Micross Componentsが、なぜ GaNパワー・トランジスタとIC が急速に、宇宙ベースのシステムの電力変換用途に理想的なソリューションになりつつあるのかを説明します。
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講演者：は、Efficient Power Conversion Corporation（EPC）のCEO（最高経営責任者）で共同創立者です。EPCを設立する前は、米インターナショナル・レクティファイアー社のCEOでした。HEXFETパワーMOSFETの共同発明者である同氏は、パワー半導体技術で多くの特許を取得しており、関連するテーマについて数多くの出版物を執筆しています。最新の第3版は出版社John Wiley and Sonsから発行されています。米カリフォルニア工科大学で理学士号、米スタンフォードで博士号を取得しています。
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