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宇宙用途におけるGaN FETとICの採用は、高効率、高電力密度、高速スイッチング速度、耐放射線性などの優れた性能によって牽引されています。これらの利点は、システムの信頼性の向上、重さとサイズの削減、および宇宙という困難で要求の厳しい環境におけるミッション能力の強化に貢献します。
このウエビナでは、DC-DC変換、モーター駆動、Lidar(光による検出と距離の測定)、電気推進などの宇宙用途において、故障するまでのテスト手法によって、GaN FETとICの寿命を正確に予測する方法について詳しく説明します。
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講演者:Shengke Zhang博士は、EPCの製品信頼性部門バイス・プレジデントで、すべてのGaNトランジスタとICの故障解析の実施を指揮しています。EPCに入社する前は、モバイル業界でRF-MEMSデバイス(RF信号を扱えるMEMSデバイス)のシニア故障分析エンジニアとして働いていました。2016年に米アリゾナ州立大学でNathan Newman博士の下、セルラーおよび高度なコンピューティングのアプリケーション向けの低損失誘電体の研究で材料科学および工学の博士号を取得。2011年に華中科技大学で学位を取得。20件以上の技術論文の著者および共著者です。JEDECのJC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors Committeeの委員および内部連絡員でもあります。
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