EPCの共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、10MHz程度の高周波動作向けに設計し、新たに発表したエンハンスメント・モード（GaN®）HEMTトランジスタのファミリーの評価結果を発表します。このプレゼンテーションでは、これらのデバイスを高信頼性用途に対する理想的な選択にするための放射線被曝下の安定性にも焦点を当てます。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN®）・パワー・トランジスタの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年3月27日、4月3日に米国サウスカロライナ州チャールストンで開催される第39回の年次Government Microcircuit Applications and Critical Technology（GOMACTech）コンファレンスでプレゼンテーションを行います。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタは、2010年以来、 商用化 されています。当時、それらは、さまざまな構成、および、さまざまな電力レベルの商用DC-DCコンバータで大きな効率向上を可能にしました。エンハンスメント・モード・トランジスタは、 ガンマ線やシングル・イベント効果（SEE）に対する著しい耐性も実証しています。耐放射線特性を強化したパワーMOSFETと比べて、GaN FETは、重要なスイッチング特性のFOM（figures of merit）を最大40倍改善します。宇宙レベルの電源設計者は、これによって、商用最先端システムの効率を達成することができます。
「高性能eGaNパワー・トランジスタのEPCの最新世代品の評価結果や、放射線試験での素晴らしい評価結果を共有する機会が持てることを大いに喜んでいます。数MHzのスイッチング・コンバータ用に設計されたこれらのGaNオン・シリコンのパワー・トランジスタによって、耐放射線システムの設計者は、商用の最先端技術と同等の電力密度と効率を達成することができます」とAlex Lidowは語りました。
GOMACTech 2014について
GOMACTech は主に、政府システム向けの超小型回路のアプリケーション開発を調査するために設立されました。1968年に設立されたこの会議は、国防総省および他の政府系機関によって開発されるシステムでの進歩に注目し、VHSICとMIMICなどの主な政府のマイクロエレクトロニクス・イニシアチブを発表するために利用され、政府調査に対する公開討論の場を提供します。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
電子メールでEPCの最新情報を受け取るための登録： http://bit.ly/EPCupdates で、または22828に「EPC」とテキスティング。
http://twitter.com/#!/EPC_CORPのTwitter、および、http://www.facebook.com/EPC.CorporationのFacebookでEPCを紹介しています。
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion Corporation Joe Engle, 310.986.0350 [email protected]