GaNが浮上：GaNオン・シリコンの集積回路で電力変換を再定義へ Posted 2020年9月29日 シリコン・ベースであろうと、GaNオン・シリコンであろうと、ディスクリート・パワー・トランジスタは最終章に入っています。GaNオン・シリコンの集積回路は、大幅にコストを低減し、必要な作業を減らし、より小さな実装面積で、より高い性能を提供します。この記事では、GaNの浮上が電力変換をどのように再定義しているかについて詳しく説明します。 独Bodo’s Power Systems 2020年10月 記事を読む 最も閲覧された関連記事 電子ブック：次のシリコン・フロンティア GaNのePower Stage ICは、モーター駆動用途に、論理入力、電力出力のシンプルさをもたらします GaN FETの使用は、シリコンFETの使用と同じくらい簡単です：48 Vシステムの例 台湾RichtekとEPCが協力して、小型の140 Wの急速充電ソリューションを開発 eGaN FETは、48 Vから12 Vへの電力変換で4 kW／立方インチを超える電力密度を実現します