EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.1 mΩのGaN FETであるEPC2066を発売し、スペースに制約のある高性能アプリケーション向けに、シリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを供給します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月25日、GaN FETの「EPC2066」（オン抵抗の標準値0.8 mΩ、耐圧40 V）を発売し、低電圧の既製の窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。
EPC2066は、低損失でサイズが小さいため、最新のサーバーや人工知能向けの40 V～60 V入力、12 V出力の高電力密度DC-DCコンバータの2次側に最適なスイッチです。電源やシルバー・ボックス・データセンターのサーバーでの12 Vへの2次側同期整流、および24 V〜32 Vの高密度モーター駆動用途にも最適です。このGaN FETの高周波動作、高効率、13.9 mm2の超小型実装面積によって、最先端の電力密度が実現できます。
EPC2066は、EPCの以前の第4世代製品であるEPC2024とフットプリントの互換性があります。面積×オン抵抗RDS(on)の第5世代の改善によって、EPC2066は同じ面積のオン抵抗を27％削減しています。
「EPC2066は、同じオン抵抗の市場に出回っている他のどのFETよりも大幅に小型です。この部品は、高電力密度コンピューティング用途向けのLLC DC-DC用に最近発表されたEPC2071を完全に補完するものです」と共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語っています。
リファレンス・デザイン
リファレンス・デザイン基板のEPC9174は、48 V入力、12 V出力の1.2 kWのLLCコンバータです。1次側フルブリッジ用のEPC2071と、２次側のEPC2066を搭載しています。EPC9174は、22.9 mm×58.4 mm×10 mmの小さなサイズ（電力密度1472 W/立方インチ）で、1 MHzのスイッチング周波数と1.2 kWの電力供給が可能です。ピーク効率は550 Wで97.3％、全負荷効率は12 Vで96.3％、100 Aを出力できます。
米国での参考価格と入手方法
eGaN FETのEPC2066の単価は、1000個／リール購入時で3.75米ドルです。
開発基板のEPC9174の単価は780.00ドルです。
EPC2066と、デモ・ボードEPC9174は、いずれも米Digi-Key社のウエブサイト（
https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から購入でき、即座に配送されます。
シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCの GaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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報道関係の問い合わせ先
Renee Yawger 電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。