GaN FET向けプリント回路基板の熱設計の最適化：パワー・エレクトロニクス・エンジニア向けガイド

窒化ガリウム（GaN）電界効果トランジスタ（FET）は、その優れた性能によって、パワー・エレクトロニクスに革命をもたらしています。ただし、すべてのパワー・デバイスと同様に、 熱管理は依然として重要です。プリント回路基板レベルでの効果的な熱設計によって、ヒートシンクを必要とせずに冷却を大幅に改善できます。この記事では、プリント回路基板のみを使って、 GaN FETから周囲環境への熱伝導を最大化し、ヒートシンクを使わずに熱特性を最適化するシンプルな熱管理ガイドラインを紹介しています。

米Power Systems Design誌
2025年2月

GaN FET向けプリント回路基板の熱設計の最適化：パワー・エレクトロニクス・エンジニア向けガイド