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車載用GaN FETを使った低コストのIToFレーザー駆動を発表

車載用GaN FETを使った低コストのIToFレーザー駆動を発表

エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)のパワー・トランジスタとICのリーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月23日、自動車用および産業用のセンシングにおける間接飛行時間(iToF:indirect time-of-flight)用途向けに最適化した高速・大電流のレーザー・ドライバ評価基板「EPC91116」を製品化したと発表しました。車載品質規格AEC-Q101準拠のEPC2203(eGaN® FET)をベースとしたEPC91116は、ナノ秒レベルの性能と、柔軟で低コストなアーキテクチャを実現し、試作を簡素化し、製品の市場投入までの時間を短縮します

iToFシステムが自動車の運転者の監視、車内センシング、3次元マッピングに不可欠となるにつれて、設計者は、認証と生産にすぐに対応できるツールを必要としています。EPC91116は、10 Aを超えるピーク電流、最小5 nsの狭いパルス幅、最大100 MHzのスイッチング速度をサポートすることで、このニーズに応えます。

「EPC91116によって、開発者は、GaNの速度と電力を利用した低コストで生産可能なソリューションを手に入れることができ、試作とiToFの導入の間のギャップを埋めることができます」とCEO(最高経営責任者)で共同創立者のAlex Lidow(アレックス・リドウ)は語っています。

主な特徴:

  • 車載品質の部品:80 V、17 A(パルス時)、面積0.9 mm×0.9 mm、ゲートの全電荷670 pC、オン抵抗が80 mΩと小さいGaN FETであるEPC2203と、AEC-Q100準拠の論理レベル・トランスレータ74LVC2T45GSを採用しています。
  • 簡素化したゲート駆動:低コストのCMOS論理ICを使うことで、最大100 MHzでGaNを高い信頼性で駆動できるため、専用のゲート・ドライバは不要です。
  • 柔軟な入力論理:簡単な変更で1.2 V~5.5 Vの論理レベルに対応します。
  • 内蔵の狭いパルスの発生器(NPG)オプション:高精度で調整可能なパルス幅(5~60 ns)が可能です。
  • レーザー対応:さまざまなレーザー・ダイオードや負荷を容易に実装できるインターポーザ基板EPC9989を同梱しています。

この開発プラットフォームは、車載品質のiToF設計の実装や、E級アンプ、SEPIC(Single Ended Primary Inductor Converter)、その他のLidar(光による検出と距離の測定)システムなどの高速スイッチング電源構成を検討している技術者に最適です。

データシート、回路図、その他の資料をダウンロードするためには、https://epc-co.com/epc/jp/製品/評価基板/epc91116

米国での参考価格と入手方法

評価基板EPC91116の単価は423.49米ドルです。

EPC2203の単価は、2500個購入時に0.395ドルです。

すべての評価基板とGaN FETは、米Digi-Key社のウエブサイト(https://www.digikey.jp/en/supplier-centers/epc)から注文でき、即座に配送されます。

シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)に基づいたパワー・マネージメント(電源管理)・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術(Lidar)、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星 などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。

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報道関係の問い合わせ先

Renee Yawger 電話:1.908.475.5702、電子メール:[email protected]

eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。