GaN、AI電源アーキテクチャにおける役割を拡大へ

Jason Zhang、EPCのDC-DCマーケティングとシステム・エンジニアリング部門バイス・プレジデント

AI（人工知能）データセンターにおいて、電力供給は極めて重要な設計課題となっています。GPUの消費電力が増大し続ける中、設計者は、電力変換効率の向上と、コンバータの小型化と熱損失の低減という高まる要求への対応を迫られています。こうした要求が、最新のAI向け電源アーキテクチャにおける中間バス変換段でのワイド・バンドギャップ半導体技術、とりわけ窒化ガリウム（GaN）の採用の追い風になっています

こうした背景の中、Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧25 VのGaN FETであるEPC2378や耐圧18 VのGaN FETのEPC2370を製品化しました。いずれも、当社の最新の第7世代製品ファミリーの製品で、大電流DC-DCコンバータの2次側同期整流用途に最適化しています。EPC2378は、標準オン抵抗RDS(on)が410 µΩ、ゲート電荷34 nCが特徴で、EPC2370は、標準オン抵抗280 µΩ、ゲート電荷26 nCを実現しています。両デバイスとも、両面冷却に対応した露出基板構造で、小型かつ熱特性に優れた3.3×3.3 mmのPQFNパッケージに封止されています。導通損失の最小化に加え、低いゲート電荷によって、スイッチング周波数1MHzにおけるスイッチング損失も低減するように設計しており、システム全体の効率と電力密度を向上できます。

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