EPC9004は、米テキサス・インスツルメンツ社のGaN FET専用ゲート・ドライバとeGaN® FETとを組み合わせて搭載しています。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2013年2月5日、EPC社のエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）電界効果トランジスタ（FET）を搭載した開発基板「EPC9004」を製品化しました。この基板は、GaN FET向けに最適化され、最近製品化されたゲート・ドライバICによって、シリコン・パワー・トランジスタから、より高性能のeGaN FETへの移行作業が、いかに簡単で費用対効果が高いかを示します。
開発基板EPC9004は、eGaN FETのEPC2012を搭載し、ピーク電圧200 Vで、最大出力電流2 Aのハーフブリッジです。EPC2012は、米テキサス・インスツルメンツ社の高速ゲート・ドライバUCC27611と組み合わせて使っているので、高周波、高性能の電源システムを設計するための時間を短縮し、複雑さを軽減します。
EPC9004は、任意の既存のコンバータに簡単に接続することができる面積2インチ×1.5インチ（1インチは2.54 cm）の単一基板に、専用ゲート・ドライバを含むすべての重要な部品を搭載することによって、高性能eGaN FETの評価プロセスを単純化します。加えて、波形測定と効率計算を単純化にするために、基板上にさまざまなプローブ・ポイントを備えています。使いやすさと参照のために、クイック・スタート・ガイドが含まれています。
耐圧200 VのeGaN FETである EPC2012は、無線充電、磁気共鳴画像装置（MRI）などの用途や、スマート・メーター通信などの低いRF周波数を使う用途での使用に理想的です。
開発基板EPC9004の単価は95.00米ドルです（米国での参考価格）。EPC社のすべての製品と同様に、Digi-Key社のウエブサイト（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-power-conversion.page?lang=ja）で購入でき、即座に配送されます。
eGaN FETの設計情報とサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion Corporation：Joe Engle、310.986.0350、[email protected]
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。