eGaN FETは、全動作範囲にわたって正の温度係数を示し、シリコンMOSFETの性能限界を超えます。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation）は2012年9月3日、eGaN FETの製品ライン全体で安全動作領域（SOA）データを公開したと発表しました。事実上、全動作範囲にわたって正の温度係数なので、平均デバイス温度によってのみ制限された正方形のSOAが得られます。
SOAは、抵抗性の接合部から熱を逃がすデバイス能力の指標です。発生した熱を除去することで、より高効率なデバイスほど、熱抵抗が小さく、SOA特性が向上します。
EPCのeGaN FETは、今日の高性能アプリケーションに必要なパワーMOSFETよりも大きな優位性があります。eGaN FETは、優れたオン抵抗RDS(on)が得られると同時に、その正の温度係数は、チップ内のホット・スポットの発生を抑制し、優れた安全動作領域特性が得られます。
EPCのeGaN FETの安全動作領域を説明したアプリケーション・ノートは、http：//epc-co.com/epc/documents/product-training/SafeOperatingArea.pdfから入手できます。さらに、EPCは、SOA特性曲線を含めるように各製品のデータシートを更新しています。
EPCのeGaN FETのこの他のアプリケーションや設計情報を下記から入手できます：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、パワー・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion Corporation：Joe Engle、310.986.0350、[email protected]
eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。