GaNの利用法:eGaN FETの駆動とレイアウトの考察 Posted 2013年8月5日 このシリーズの前の回では、eGaN® FETの利点、および、シリコンMOSFETで可能とする以上の高い効率と高いスイッチング速度が得られるこのデバイスの可能性について議論しました。この回では、eGaN FETで達成可能な特性を得るために、ドライバとレイアウトの考察について議論します。 米EEWeb誌 By: Alex Lidow 2013年8月 最も閲覧された関連記事 eGaN FET対シリコンのパワー決戦Volume 13、Part 2:最適なプリント回路基板のレイアウト Driving eGaN™ Transistors for Maximum Performance ポッドキャスト:モーター制御とLidar用途向けのGaN モノリシックGaN集積化によって、サイズとコストを削減し、性能を向上 GaNの電力変換ソリューションが次世代アプリケーションに向かう