GaNの利用法：高周波バック・コンバータにおけるeGaN FET Posted 2013年9月4日 この回では、高周波バック（降圧型）・コンバータに最適なレイアウトを施すと、スイッチング1 MHzで効率96％以上が得られることについて説明します。 米EEWeb誌 By: Alex Lidow 2013年9月 最も閲覧された関連記事 The eGaN FET-Silicon Power Shoot-Out: Part 2 – Drivers, Layout 高速GaNトランジスタの測定技術の評価 GaNアプリケーション：パワー・マネージメント（電源管理）で次のステップに進展へ APEC 2017：GaN技術、私たちの生き方を変える準備をする 出現したサーバー技術：6つのホット・トレンドを見よう