開発基板EPC9013は、耐圧100VのeGaN FETを搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使う最大出力電流35Aの基板です。
エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月4日、耐圧100Vのエンハンスメント・モード（eGaN®）電界効果トランジスタ（FET）のEPC2001を搭載し、並列構成の4つのハーフブリッジと1個のゲート・ドライバを使って、バック（降圧）・モードにおいて最大出力電流35Aで動作する開発基板「 EPC9013 」を製品化しました。この革新的な設計によって、効率を犠牲にせずに、出力電力を高められます。
EPC9013は、米テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバLM5113とともに8個のeGaN FET（EPC2001）を搭載した面積2インチ（5.08cm）×2インチ（5.08cm）の開発基板です。この開発基板は、モーター駆動回路や絶縁型コンバータの用途でハーフブリッジとして動作すると同様に、バック（降圧）型、ブースト（昇圧）型、双方向型としても動作することができます。この並列構成は、大電流用途向けに推奨されます。プリント回路基板のレイアウトは、最適なスイッチング特性が得られるように設計されています。簡単に波形を測定し、容易にeGaN FETを評価できるように、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。
この開発基板は、任意の既存のコンバータの中に簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することによって、大電流動作用のeGaN FET（EPC2001）の評価工程を単純化します。
組み立て手順、回路図、特性曲線、BOM（部品表）を含む クイック・スタート・ガイド には、参照のため、および使いやすさのためのデモ・ボードEPC9013も含まれています。
開発基板EPC9013の単価は、150米ドルです（米国での参考価格）。Digi-Key社のウエブ（http://bit.ly/EPC9013DK）で購入でき、即時に配送されます。
設計情報とeGaN FETのサポート：
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、 リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます
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