カンファレンス・セッション
非接続型ロボットの未来：モビリティ、AI、マシン・ビジョンのためのGaN搭載ソリューション
ロボットが自律的に動作する未来に向かって進んでいるときに、窒化ガリウム（GaN）が変革をもたらす技術として登場し、ロボットのモビリティ、人工知能（AI）、マシン・ビジョンに優れたソリューションを提供しています。この基調講演では、これらの主要分野におけるGaNの変革的影響について検討し、モーター駆動の効率の向上、高度なAI機能の実現、マシン・ビジョン機能の向上におけるGaNの役割に焦点を当てます。GaNを活用したソリューションがロボットの未来に革命をもたらし、自律型ロボットをこれまで以上に効率的でインテリジェント、かつ知覚力のあるものにする方法をご覧ください。
講演者: Alex Lidow
出展者フォーラム：8月28日、午後12時10分～午後12時30分
WLCSPのGaNパワー・デバイスの基板レベルの包括的な温度サイクル寿命予測
ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ（WLCSP）封止の窒化ガリウム（GaN）・パワー・デバイスは、基板レベルの温度サイクル（TC）の信頼性が求められるより高度なアプリケーションに導入されています。この研究では、故障するまでのテスト手法 [1] を採用することによって、さまざまなデバイス・サイズと、ランド・グリッド・アレイ（LGA）のさまざまなはんだバンプ寸法を考慮した包括的なTC寿命モデルを開発しました。COMSOL [2] 有限要素解析（FEA）のシミュレーションを実行して、はんだ疲労モデルに基づいてTC寿命を予測しました。このシミュレーション結果は、実験データと一致し、提案したTC寿命モデルが検証されました。
講演者: Shengke Zhang、Ph.D.
ポスター対話セッション：8月29日、午後1時30分～午後2時30分
ハーフブリッジ構成のeGaN® FETの基板側と裏面の熱管理技術の比較
GaN FETの特性によって、コンバータは、高速スイッチングと低オン抵抗で高電力密度の能力が提供されます。ただし、シリコンの同等品よりも物理的に小型で、代替パッケージで提供されます。アプリケーションで使用すると、結果として熱流束密度が高くなり、コンバータの電力処理能力が制限されます。プリント回路基板（PCB）と外部ヒートシンクの両方で熱抵抗を下げることでGaN FETの潜在能力を強化するには、さまざまな熱戦略が必要です。プリント回路基板のどちらかの面のサーマル・ビア、ヒート・スプレッダ、ヒートシンク、および高性能熱伝導材料（TIM）を使った構成オプションを調べました。これらの手法を実装すると、接合部から周囲までの熱抵抗（RθJA）を、ヒートシンクなしで30%、ヒートシンクありで60%以上削減できます。
講演者：Adolfo Herrera、Ph.D.
口頭発表：8月29日、午後3時5分～午後3時30分
GaN HEMTのデューティ比ベースのゲートおよびドレインの繰り返し過渡過電圧仕様の検証
繰り返し過渡過電圧リンギングは、GaNベースのワイド・バンドギャップのパワー・コンバータの一般的なスイッチング特性です。デューティ比1%の過電圧（DCOvervoltage）仕様は、ドレインのオフ時およびゲートのオン時の過渡に対して以前に提案されました [1,2]。この研究では、過電圧リンギングと公称バイアスによる寿命への影響を考慮するための包括的なモデルを開発しています。抵抗性および誘導性のハード・スイッチング回路が実装され、オン抵抗RDS(on)をその場で測定します。予測される寿命は、ドレインの1%のDCOvervoltageで検証します。1%のDCOvervoltageを考慮すると、10 ppmの故障率で50 年を超えるゲート寿命が予測され、提案された仕様がさらに検証されます。
講演者：Shengke Zhang、Ph.D.
口頭発表：8月30日、午後3時30分～午後3時55分
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