5 10, 2023
Renee Yawger, Director of Marketing
窒化ガリウム(GaN)は、パワー・デバイスの生産に加え、RF部品や発光ダイオード(LED)の生産にも使われる非常に硬く、機械的に安定したワイド・バンドギャップ半導体です。GaNのスイッチング周波数は、シリコンよりも大幅に高いので、パワー・エレクトロニクスの設計者は、シリコン技術で達成するためにこれまで挑戦していた、より小型、より高効率、より高性能なシステムを構成できるようになりました。
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GaN FEとIC
評価基板
eGaN FETの電力変換向けに拡張するエコシステム (How2AppNote005)
eGaN FETベースのパワー段を最適なレイアウトで設計する方法 (How2AppNote007)