GaNの話

効率、サイズ、信頼性が最重要視され、絶えず進化を続けるパワー・エレクトロニクスの世界において、EPCは、最新のイノベーションであるEPC2366で新たなベンチマークを確立しました。この耐圧40 VのGaN FETは、面積3.3 mm×2.6 mmの超小型QFNパッケージに収められており、最先端のパワー半導体技術の好例となっています。

Efficient Power Conversion（EPC）の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、台湾MakerPROTW誌の特別編集委員のJudith Cheng氏とのインタビューで、現在量産中の第7世代窒化ガリウム（GaN）技術と、従来はシリコンMOSFETが主流だった低電圧用途への影響について説明しました。40 V出力のEPC2366などのデバイスがすでに量産されていることによって、EPCは、GaNを40 V以下の主流の用途の選択肢として位置付けています ―― この市場は、GaNが最初に普及した100 V分野よりも大きい市場です。