GaNの話

ワイド・バンドギャップ半導体が市場に登場したとき、それらが動作する領域は、ほぼ明確に定義されていました。SiCは、600 V以上の電圧でシリコンに対抗し、GaNは100 Vから600 V程度の電圧範囲でシリコンと競合するとされていました。

Efficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、米Power Systems Design誌の編集者のAlly Winning氏との最近のインタビューで、EPCとルネサス エレクトロニクスとの戦略的提携について語りました。このインタビューでは、提携に至った経緯、セカンド・ソースを持つことの重要性、そして、特定のeGaNデバイスが低電圧GaN市場における事実上の標準を確立するためにどのように役立っているか、などが取り上げられました。

プロオーディオ業界では従来、新しい半導体技術を評価するときに、信頼性、予測可能な寿命、製品の長期的な安定性を重視してきました。この結果、新しいデバイス・プラットフォームは、その電気的性能と耐久性が十分に理解された後に採用されることが一般的です。

高電圧GaNを提供するルネサス エレクトロニクスとの提携は、EPCにとって、低電圧および中電圧のポートフォリオを拡大する機会となるでしょう。

窒化ガリウム（GaN）は、炭化ケイ素（SiC）と並ぶワイド・バンドギャップ半導体であり、次世代パワー・エレクトロニクスにおいて、シリコンの優れた代替品として台頭しています。著名なフランスの市場調査会社Yole Developpementは、GaNパワー市場がOEM（相手先ブランドによる生産）による普及、消費者の成熟、そして米NVIDIA（エヌビディア）が支援するAIデータセンター事業の拡大によって、2024年から2030年の間の年平均成長率42%で、2030年には30億米ドルになると予測しています。

米Power Electronic News誌
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