次回の設計でuP1966Eに切り替えるべき5つの理由

GaNの話 – Steve Colino 9 30, 2024

パワー・エレクトロニクスの急速に進化する世界では、あなたの設計に適した部品を選択することで大きな違いが生まれます。時代を先取りするには、効率を高め、設計を簡素化し、コストを削減する部品を選択することが重要です。

あなたの次のプロジェクトでゲート・ドライバuP1966Eへの切り替えを検討すべき主な5つの理由は次のとおりです：

1. 高速性能

uP1966Eは、ハーフブリッジ構成のハイサイドとローサイドの両方のGaN FETを駆動するように設計されており、両方のチャネルとも数MHzで動作します。この高速性能によって、効率的で信頼性の高い動作が保証され、高速スイッチングを必要とするアプリケーションに最適です。

下の画像に示す搭載したGaN FETは、2×2バンプのBGA CSPで提供される100 V定格のEPC2036で、オン抵抗R_DSonの標準値は62 mΩです。

uP1966Eの優れた機能の1つは、ゲートの分離出力です。これによって、オン時とオフ時の遷移時間を独立して制御できます。この柔軟性によって、設計者は特定のアプリケーションのニーズに応じて性能と効率を最適化できます。

uP1966Eには、内部のブートストラップ電源と低電圧ロックアウト（UVLO）保護が集積されています。これらの機能によって、設計プロセスが簡素化され、低電圧状態による潜在的な損傷からGaN FETを保護することでシステムの信頼性を強化しています。

12ピンWLCSPパッケージで提供されるuP1966Eは、高速動作に大きく影響するパッケージのインダクタンスを最小化しています。小型（面積1.6 mm×1.6 mm）なので、スペースが限られた設計に最適な選択で、スペースを犠牲にすることなく高い性能を維持できます。

uP1966Eは、高い雑音耐性を実現するためにCMOS互換の入力論理しきい値とヒステリシス論理しきい値を備えています。これによって、雑音の多い環境でも安定した動作が保証され、さまざまな産業用途および民生用途に最適な選択肢となります。

あなたの次回の設計でuP1966Eに切り替えると、性能、効率、信頼性が大幅に向上します。高度な機能と小型な設計によって、現代の電子用途に適した多用途で強力な部品となっています。GaNのエキスパートに問い合わせて、今すぐ切り替え、違いを体験してください！