GaNの基礎：ハイブリッド構造、HEMT、基板の選択 GaNの話 – Maurizio Di Paolo Emilio 3 20, 2026 この連載記事のパート1では、窒化ガリウム（GaN）の基礎について、結晶構造と2次元電子ガス（2DEG）の形成、材料の性能指数FOM（figures of merit）、デプレッション・モードからエンハンスメント・モードへのGaN HEMTの移行について解説しました。 この連載記事のパート1では、窒化ガリウム（GaN）の基礎について、結晶構造と2次元電子ガス（2DEG）の形成、材料の性能指数FOM（figures of merit）、デプレッション・モードからエンハンスメント・モードへのGaN HEMTの移行について解説しました。 米EDN誌 記事を読む Tags: Maurizio Di Paolo Emilio, Director of Global Marketing Communications at EPC