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GaNの今後の展望

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6 15, 2026

PCIMで開催された独Bodo’s Power Systemsのパネル・ディスカッションにおいて、Alex Lidow(アレックス・リドウ)は、GaN技術の最新の進展に焦点を当て、オン抵抗、容量、電圧の特性が大幅に向上したことを強調しました。EPCの第7世代GaNが銅に匹敵する導電性に近づきつつあると同時に、あらゆる電圧領域においてシリコンMOSFETの性能を上回り続けていると指摘しました。さらに、極めて低いオン抵抗と大幅に低減された容量を特徴とするEPC2370も紹介しました。今後の展望として、低電圧、高周波、高電力密度のnアプリケーション向けの第8世代GaNや、ロボットやドローン向けのモノリシック・モーター駆動ICの開発を進めており、保護機能や電流検出機能を統合した製品を2027年および2028年に製品化する予定です。
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Tags: GaN

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