GaNの話

At PCIM Asia 2026, EPC presented its Gen 8 monolithic GaN power stage for AI processor power delivery.

Developed by EPC for high-frequency multiphase POL / IVR applications on next-generation AI processors, Gen 8 integrates half-bridge power switches, high-speed gate drivers, bootstrap circuitry, level shifting, and logic on the same GaN die. With lower charge, faster switching, and stronger overvoltage capability, it targets operation from a 6 V input at frequencies approaching the 10 MHz class. The system-level significance is not simply a lower component count: integration reduces drive-loop parasitics and noise sensitivity, while allowing the control side to use high-speed processes better suited to extensive digital functionality, enabling more phases and denser processor-side placement.

効率、サイズ、信頼性が最重要視され、絶えず進化を続けるパワー・エレクトロニクスの世界において、EPCは、最新のイノベーションであるEPC2366で新たなベンチマークを確立しました。この耐圧40 VのGaN FETは、面積3.3 mm×2.6 mmの超小型QFNパッケージに収められており、最先端のパワー半導体技術の好例となっています。

Efficient Power Conversion（EPC）の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、台湾MakerPROTW誌の特別編集委員のJudith Cheng氏とのインタビューで、現在量産中の第7世代窒化ガリウム（GaN）技術と、従来はシリコンMOSFETが主流だった低電圧用途への影響について説明しました。40 V出力のEPC2366などのデバイスがすでに量産されていることによって、EPCは、GaNを40 V以下の主流の用途の選択肢として位置付けています ―― この市場は、GaNが最初に普及した100 V分野よりも大きい市場です。