GaNの話

Maurizio Di Paolo Emilio 著 この記事の全文は、もともと英 EPDT 誌に掲載されました。パワー・エレクトロニクスの歴史は、材料の限界、アーキテクチャの変革、新たな半導体プラットフォームの登場による期待値の再設定という予測可能なテンポで展開されてきました。そして今日、その変革が再び起こっています。今回は、窒化ガリウム（GaN）がその中心です。

窒化ガリウム（GaN）のパワー・デバイスの近年の進歩によって、その動作範囲は40 V以下の低電圧用途にも大きく広がっています。シリコンMOSFETは、その優れた導通性能、十分に理解された製造プロセス、実証済みの信頼性によって、これまで、この電圧範囲で支配的となっていました。

Efficient Power Conversion（EPC）の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、台湾MakerPROTW誌の特別編集委員のJudith Cheng氏とのインタビューで、現在量産中の第7世代窒化ガリウム（GaN）技術と、従来はシリコンMOSFETが主流だった低電圧用途への影響について説明しました。40 V出力のEPC2366などのデバイスがすでに量産されていることによって、EPCは、GaNを40 V以下の主流の用途の選択肢として位置付けています ―― この市場は、GaNが最初に普及した100 V分野よりも大きい市場です。

モナコで開催された独Bodo’s Power SystemsのWide Band Gap Forumにおいて、EPCの共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、GaNに関する議論の方向性を決定づけ、パワー半導体における50年の経験に基づいて、窒化ガリウム（GaN）の大きな利点を強調しました。米テキサス・インスツルメンツ、米Navitas Semiconductor、独インフィニオン・テクノロジーズ、東芝、独フォルクスワーゲン、三菱電機の専門家らと共に講演し、AI（人工知能）データセンターや人型ロボットから自動運転車やLidar（光による検出と距離の測定）に至るまで、低電圧・高周波システムにとってGaNが優れた選択肢であると位置付けました。高電圧分野ではSiCが依然として主流ですが、GaNがすでに負荷点（POL：Point-of-Load）電源をはじめとするさまざまな分野を変革しつつある費用対効果の高い技術であると強調しました。

人工知能（AI）、ロボット、そして宇宙システムが、パワー・エレクトロニクスの可能性を再定義する中、窒化ガリウム（GaN）技術は変革を牽引し続けています。英Electronic Product Design & Test（EPDT）誌との最近のインタビューで、EPCのCEO（最高経営責任者）で共同創立者であるDr. Alex Lidow（アレックス・リドウ）は、GaNが半導体業界をどのように変革しているのか、そして急速に進化するこの技術の今後について、自身の見解を語りました。

SEE耐性や耐放射線特性を強化し、パッケージ化されたエンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）・デバイスは、成熟した耐放射線シリコンMOSFETに比べて、性能が劇的に改善され、これまでにない高周波、高効率、高電力密度で動作する宇宙における新世代のパワー・コンバータを可能にします。