GaN Reliability Solar Webinar

実際の宇宙用途におけるGaNの信頼性に関するウエビナ

故障するまでのテスト手法を使って、宇宙用途におけるGaN FETとICの寿命を正確に予測する

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宇宙用途におけるGaN FETとICの採用は、高効率、高電力密度、高速スイッチング速度、耐放射線性などの優れた性能によって牽引されています。これらの利点は、システムの信頼性の向上、重さとサイズの削減、および宇宙という困難で要求の厳しい環境におけるミッション能力の強化に貢献します。

このウエビナでは、DC-DC変換、モーター駆動、Lidar(光による検出と距離の測定)、電気推進などの宇宙用途において、故障するまでのテスト手法によって、GaN FETとICの寿命を正確に予測する方法について詳しく説明します。

このウエビナに参加して、以下について詳しく学びましょう:

  1. GaN技術と宇宙用途におけるその利点の紹介。
  2. 宇宙の極限状態におけるGaN FETとICの寿命を正確に予測する際の故障するまでのテスト手法とその適用性を徹底的に調査。
  3. 実際の結果は、宇宙用途におけるGaNデバイスの卓越した信頼性を示しています。
  4. あなたの特定の質問や懸念事項に対処するための質疑応答セッション。

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講演者:Shengke Zhang博士は、EPCの製品信頼性部門バイス・プレジデントで、すべてのGaNトランジスタとICの故障解析の実施を指揮しています。EPCに入社する前は、モバイル業界でRF-MEMSデバイス(RF信号を扱えるMEMSデバイス)のシニア故障分析エンジニアとして働いていました。2016年に米アリゾナ州立大学でNathan Newman博士の下、セルラーおよび高度なコンピューティングのアプリケーション向けの低損失誘電体の研究で材料科学および工学の博士号を取得。2011年に華中科技大学で学位を取得。20件以上の技術論文の著者および共著者です。JEDECのJC-70 Wide Bandgap Power Electronic Conversion Semiconductors Committeeの委員および内部連絡員でもあります。

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