パワー・エレクトロニクス業界の会議IEEE APEC 2014で、EPCのアプリケーションの専門家が、シリコン・パワーMOSFETと比べて、GaNトランジスタの優位性を示すGaN FET技術やアプリケーションの技術的なプレゼンテーションを行います。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）・パワーFETの世界的なリーダーであるエフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2014年2月27日、APEC 2014でアプリケーションに焦点を当てた3件の技術発表を行います。高周波の共振コンバータや、高周波ハード・スイッチングのパワー・コンバータの設計に関する発表です。この会議は、3月16日～20日に米国テキサス州フォートワースで開催されます。

APECのApplied Power Electronics™のプレミア・イベントは、パワー・エレクトロニクス・ビジネスの実際の応用面に注目します。すべての種類のパワー・エレクトロニクス部品や機器の仕様、設計、製造、マーケティングの広範囲のテーマに取り組むパワー・エレクトロニクスの専門家が学ぶための主要な会議です。APECの詳細は、このウエブ（http://www.apec-conf.org/）をご覧ください。

「APEC 2014の技術審査委員会が、この年次大会でGaN技術に焦点を当てた技術論文の発表に、EPCのエキスパートを選んだことを誇りに思います。この選択は、GaN技術の優れた性能がパワー・システムの設計エンジニアの興味や支持を得ているという確信を支持するものです」と、EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語りました。

EPCのエキスパートによるGaN FETが主役の技術プレゼンテーション：

• 「高周波共振のソフト・スイッチングDC-DCコンバータにおける窒化ガリウム・トランジスタの評価」
  講演者：David Reusch、Johan Strydom
  日時：2014年3月19日（水）（8:30 a.m. ~ 10:00 a.m.、TO9-Wide Bandgap Devices in DC-DC Converters）
• 「GaN：電力変換特性のバーを上げる」
  講演者：David Reusch
  日時：2014年3月20日（木）（8:30 a.m. ~ 11:30 a.m.、IS2-4-3, Wide Band Gap Devices）
• 「窒化ガリウムに基づく10MHz、42VのDC-DCコンバータの設計と評価」
  講演者：Johan Strydom、David Reusch
  日時：2014年3月20日（木）（2:00 p.m. ~ 5:30 p.m.、 T30-Semiconductor Devices, Track: Devices and Components）

このイベント中にEPCのアプリケーションのエキスパートに会いたい参加者は、 [email protected]にリクエストを送ってください。

EPCについて

EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウムに基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。EPCは、最高のシリコン・パワーMOSFETよりも何倍も優れたデバイス特性を備えたエンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）FETを初めて製品化しました。 DC-DCコンバータ、 ワイヤレス・パワー伝送、 包絡線追跡、RF伝送、太陽光発電用マイクロ・インバータ、リモート・センシング技術（LiDAR）、 D級オーディオ・アンプ などの用途で、パワーMOSFETを置き換えられます。

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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。

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