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GaNの利用法：第4世代eGaN FET ―― 成熟したMOSFETとの特性の差を広げる
Posted 2014年10月29日
「GaNの利用法」シリーズのこの回では、鍵となるスイッチングの性能指数FOM（figure of merit）を大幅に改善し、高周波電力変換においてパワーMOFETとの特性の差を広げることで、ムーアの法則が生き続けていることをeGaN FETの新しいファミリーで説明します。
米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年10月