新しいeGaN^®パワー・トランジスタは、成熟した製造プロセスや組み立てラインとの互換性を強化し、大量生産が容易な高性能でワイド・ピッチのチップスケール・パッケージに収めたEPC社のパワー・トランジスタのポートフォリオを拡張します。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2015年5月21日、ワイド・ピッチの接続レイアウトで設計したeGaN FETを3品種発売しました。これらの製品は、はんだボール・ピッチを1mmに広くしたことが特徴で、EPC社の「リラックス・ピッチ」のデバイス・ファミリーの拡張です。このワイド・ピッチは、実装面積が2.6mm×4.6mmと非常に小さいにもかかわらず、高い電流処理能力を可能にするために、デバイスの下により大きなビアを追加して配置することができます。

オン抵抗が同等の最先端のシリコン・パワーMOSFETと比べて、これらの製品は、非常に小型で、何倍も優れたスイッチング特性を備えています。高い周波数のDC-DCコンバータ、DC-DCコンバータやAC- DCコンバータの同期整流、モーター駆動、D級オーディオなどの用途に最適です。

購入方法

製品化した3品種とも、Digi-Key社のウエブサイト（http://www.digikey.jp/suppliers/jp/efficient-