EPC社の新しい開発基板によって、電源システムの設計者は、最高30 MHzまで動作するE級アンプ、電流モードD級アンプ、およびプッシュプル・コンバータにおいて、200 Vの窒化ガリウム・トランジスタによって達成できる高効率を簡単かつ迅速に評価することができます。

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2016年1月15日、最高30 MHzまで動作するGaNベースで高効率の差動モード開発基板を製品化しました。この基板は、電源システムの設計者に、窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を評価し、自分の製品を迅速に量産化するための使いやすい方法を提供します。

これらの開発基板は、無線充電のようなE級アプリケーションのために設計されていますが、ローサイド・スイッチを利用する任意のアプリケーションに使うことができます。限定されるものではありませんが、例えば、プッシュプル・コンバータ、電流モードD級アンプ、共通ソースの双方向スイッチ、および、LiDAR（光による検出と距離の測定）のような一般的に高電圧の狭いパルス幅のアプリケーションなどがあります。

これらの開発基板は、定格200 VのeGaN® FETを搭載しています。このアンプは、差動モードで動作するように設定され、シングルエンド・モードで動作するように再構成することができます。ゲート・ドライバと論理回路の電圧レギュレータを備えています。

製品化した3種の基板は、すべて共通の選択可能な仕様を備えています。回路構成を含む動作負荷条件が、最適設計の負荷の電圧と抵抗を決めます。各基板のデバイス・パラメータを以下の表に示します：