GaN技術がデータセンターの電力密度を牽引 Posted 2022年3月26日 サーバーが48 Vに移行すると、GaNトランジスタは、今日のシリコンMOSFETを打ち負かし、性能とコストを改善します。 英オンライン・ニュースData Center Dynamics 2022年3月 記事を読む 最も閲覧された関連記事 ワイド・バンドギャップ（WBG）部品は、高効率で省エネのグリーン・ワールドを構築します パワー・ブリックはGaNで効率が向上 eGaN FETを搭載した高効率、高密度で1 kWの1/8ブリック・サイズLLC共振コンバータ パワー半導体戦争が始まる EPC：詰め込みの先へ