Efficient Power Conversion（EPC）は、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、超低オン抵抗で超小型の200 Vデバイスを製品化し、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性環境での電力変換ソリューションを実現します。
EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月3日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7007」を製品化すると発表しました。EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80 APulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm2と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm2)のLETに対するSEE耐性があります。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。
同様のオン抵抗RDSonの耐放射線シリコン・デバイスと比べて、EPC7007は、ゲート電荷QGとゲート-ドレイン間電荷QGDが1/40で、逆回復電荷QRRがゼロです。面積は1/40と小型です。GaNベースのパワー・デバイスは、より高いブレークダウン強度、より低いゲート電荷、より小さいスイッチング損失、より優れた熱伝導率、非常に低いオン抵抗によって、シリコン・ベースのデバイスよりも大幅に優れており、より高いスイッチング周波数、より高い電力密度、より高い効率が得られ、厳しい宇宙搭載ミッションのためのより小型・軽量な回路が実現可能になります。GaNデバイスは、シリコン・ソリューションよりも高い総線量レベルとSEE LETレベルもサポートします。
EPC7007の性能と迅速な開発の恩恵を受ける用途には、DC-DC電源、モーター駆動、Lidar（光による検出と距離の測定）、宇宙深部探査ロケット、および、宇宙用途、衛星、航空機搭載電子機器用のイオン・スラスタなどがあります。
「EPCのGaN技術は、これまでにないほど高い周波数、高い効率、高い電力密度で動作する宇宙での新世代の電力変換とモーター駆動を可能にします。EPC7007は、最高クラスのシリコンの耐放射線デバイスよりも50倍優れた性能指数FOM（figure of merit）を備えたソリューションを設計者に提供します。EPC7007は、耐放射線ファミリーの電圧範囲を200 Vに拡張し、設計者に、シリコンよりも大幅に小型で低コストのソリューションを提供します」と、CEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。 「
入手方法
EPC7007は、エンジニアリング・サンプルを用意しており、2022年12月に大量出荷が可能になります。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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eGaNは、Efficient Power Conversion Corporation, Inc.の登録商標です。