GaNの性能を決定するためのモデルの振る舞い Posted 2022年5月2日 GaN FETとICのユーザーは、アプリケーションに必要な定格低減を決定し、電圧の低減係数を小さくするためのツールを利用できるようになりました。EPCは、ハード・スイッチング条件下でのGaNトランジスタのオン抵抗RDS(on) の上昇を説明するために、第一原理物理ベースのモデルを開発しました。この論文では、2つの同期整流用途の例の事例を提供します。 英Electronic Specifier誌 2022年5月 記事を読む 最も閲覧された関連記事 eGaN FETは、48 Vから12 Vへの電力変換で4 kW／立方インチを超える電力密度を実現します パワー・ブリックはGaNで効率が向上 eGaN FETを搭載した高効率、高密度で1 kWの1/8ブリック・サイズLLC共振コンバータ 48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで48 V/12 Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計 48 Vのマイルドハイブリッド車向け双方向パワー・モジュール