Efficient Power Conversion（EPC）は、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩのGaN FETであるEPC2619を製品化しました。このデバイスは、実装面積が1.5 mm×2.5 mmと小さく、DC-DC変換、モーター駆動、12 Vから20 Vへの同期整流などの高電力密度用途向けに、従来の MOSFETよりも高性能で小型のソリューション・サイズを提供します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月15日、耐圧80 V、オン抵抗4 mΩの「EPC2619」を製品化したと発売しました。このデバイスは、当社の前世代の製品と比べて、2倍の電力密度が得られる新世代eGaNデバイスの主要製品です。
EPC2619 は、オン抵抗RDS(on)がわずか4 mΩで、実装面積が1.5 mm×2.5 mmと小型です。EPC2619 の最大 RDS(on))×面積は15 mΩ・mm2と小さく、80 VのシリコンMOSFETの1/5 です。
この製品は、さまざまなモーター駆動用途向けに設計されています。例えば、電動自転車、電動キックボード、電動工具向けの28 Vから48 Vへの変換；高密度 DC-DCコンバータ；太陽光発電用オプティマイザ；充電器、アダプタ、テレビの電源向けの12 Vから 20 Vに変換する同期整流があります。
ハードスイッチング用途での電力損失を示す一般的なRDS(on)×ゲート・ドレイン間電荷QGDは、80 VのシリコンMOSFETよりも10倍優れています。これによって、シリコンMOSFETの10倍のスイッチング周波数が可能になり、効率を犠牲にすることなく、最高の電力密度を実現できます。これによって、EPC2619 は、バック（降圧）、バック・ブースト（降圧・昇圧）、ブーストの各コンバータで使われるような高周波ハードスイッチングの24 Vと48 Vの間の変換用途に最適です。
ソフトスイッチング用途での電力損失を示す一般的なRDS(on)×出力電荷QOSSは、87 mΩ・nCであり、80 VのシリコンMOSFETの2倍優れています。このため、EPC2619は、LLCベースの DCX DC-DCコンバータの１次側整流フルブリッジなどのソフトスイッチング用途に最適です。
「これは、当社の新世代のディスクリート・トランジスタと集積回路の最初の製品です。EPC2619の製品化によって、GaNパワー・デバイスはムーアの法則を思い起こさせる道を歩み続けます」とCEO（最高経営責任者）で共同創立者のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は語りました。
開発基板
開発基板のEPC90153は、GaN FETのEPC2619を搭載したハーフブリッジです。最大デバイス電圧80 V、最大出力電流20 Aの用途向けに設計されています。この基板の目的は、パワー・システム設計者の評価プロセスを単純化し、製品の市場投入までの時間を短縮することです。この面積2インチ×2インチ（50.8 mm×50.8 mm）の基板は、最適なスイッチング特性を実現するように設計されており、簡単に評価できるようにすべての重要な部品が含まれています。
米国での参考価格と入手方法
EPC2619の単価は、2500個購入時で1.90米ドルです。
開発基板EPC90153の単価は200.00ドルです。
シリコンMOSFETをGaNソリューションに置き換えることに関心のある設計者は、EPCのGaNパワー・ベンチのクロスレファレンス・ツールを使って、独自の動作条件に基づいて推奨される代替品を見つけることができます。クロスレファレンス・ツールは、https://epc-co.com/epc/jp/設計サポート/gan-power-bench/クロスレファレンス検索
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、 リモート・センシング技術（Lidar）リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
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