次世代のGaN技術が電力密度を2倍に Posted 2022年11月15日 この記事で、EPCは、第6世代GaN FETの性能の向上と、その結果として得られるデバイスが前世代のデバイスと同じオン抵抗RDS(on)を半分のチップ・サイズで実現する方法について説明します。 米オンライン・ニュースサイトHow2Power 2022年11月 記事を読む 最も閲覧された関連記事 電動キックボード駆動システム向けのGaNベースの低電圧インバータ チップスケール・パッケージ封止GaN FETのプリント回路基板のパワー・ループのレイアウトが電気的性能や熱的性能を最適化 CES 2022：次の未来のためのGaN技術 より小型、より軽量、より滑らかなモーター駆動向けGaNデバイス 新しい放射線耐性FETで米マイクロチップ・テクノロジーとEPCの戦闘放射