シリコンに代わる次世代技術にスポットライトを当てる事件
（カリフォルニア州エルセグンド） - 窒化ガリウム（GaN）技術の世界的リーダーであるEfficient Power Conversion Corporation（EPC）は本日、自社の基本的な特許ポートフォリオのうち4件の特許に関して、中国のInnoscience(Zhuhai) Technology Company, Ltd.、および、その関連会社（Innoscienceと総称）に対する告訴状を連邦裁判所と米国際貿易委員会（ITC）に提出しました。これらの特許は、EPC独自のエンハンスメント・モード窒化ガリウム・パワー半導体デバイスの設計および製造プロセスの中核をカバーしています。これらの特許には、GaNベースのパワー・デバイスを、研究プロジェクトから、シリコン・ベースのトランジスタに代わる大量生産可能な大量生産製品へ、および、より高効率、より小型、より低コストのGaNデバイスを備えた集積回路へと発展されることを可能にしたイノベーションが含まれています。
米国カリフォルニア州エルセグンドに拠点を置くEPCは、GaNを科学的好奇心から、エネルギー効率を向上させて広く受け入れられる技術に転換しました。2010年、EPCは初の量産商用GaNトランジスタと集積回路の製造を開始しました。それ以来、同社はGaN製品およびサービスのリーダーとして認められるまでに成長しました。.
この訴状では、中国広東省に本社を置くInnoscienceが、最高技術責任者（CTO）およびセールス・アンド・マーケティングの責任者としてEPCの従業員2人を採用した経緯が詳しく説明されています。その後間もなく、Innoscienceは、EPCと一見同一の一連の製品を製品化し、主要な性能指標全体で実質的に同等の性能を誇っています。最近では、Innoscienceは、同社の製品群をEPCの顧客に売り込む大胆かつ積極的なキャンペーンにおいて、自社製品の多くがEPCの製品を含む「既存の製品とピン・ツー・ピンの互換性がある」と主張しました。
EPCの共同創立者でCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow、PhDは、「私は常に、世界的な技術市場の基盤として公正な協力を信じてきました。協力を通じてのみ、GaN技術の可能性を解き放ち、世界のエネルギー安全保障と持続可能性の目標を達成することができます。その信頼と協力には、知的財産の強力な保護と尊重が不可欠です」と語っています。
「これらの断固とした行動を通じて、競争条件を公平にし、この重要な新興技術のすべての参加者にとって機能するGaNエコシステムを確保する公正かつ合理的な解決策に達すると私は確信しています」とDr. Lidowは付け加えました。
EPCは、Innoscienceを特許侵害で連邦裁判所とITCに訴え、損害賠償を求め、侵害している一連のGaN製品をInnoscienceから米国に輸入することを禁じています。
シリコンの代替：GaNと電力変換の未来
窒化ガリウム（GaN）は、今後10年間でシリコン・パワー半導体に代わる次世代の電力変換技術です。GaNはシリコン・ベースの半導体よりも小型、高効率で、信頼性の高い技術であり、低コストで高性能を実現します。アプリケーションには、コンピューティング、自動車、太陽光発電、ロボット、ドローン、医療用電子機器、Lidar（光による検出と距離の測定）から、携帯電話、オーディオ機器、スマート家電、電動工具、急速充電器、電動自転車などの日用品まで多岐にわたります。
GaN技術は、世界のエネルギー効率を15～20%向上させることが期待されており、これによってエネルギー・コストと有害な排出量の両方が削減され、米国のエネルギー安全保障と持続可能性の目標がサポートされます。専門家らは、GaN市場は、今後2～3年で数10億米ドル規模になり、今後10年間で数100億ドル以上に達すると予測しています。
Efficient Power Conversion Corporation
Efficient Power Conversion Corporation（EPC）は、GaN技術と製品の世界的リーダーです。そのリーダーシップの基盤は、優れた技術です：EPCは、2010年に最初のGaN製品の生産を開始し、現在では米国で57件の特許を取得し、世界中で172件の特許を取得しています。EPCは、既製の入手可能な100以上の集積回路（IC）とディスクリート・トランジスタをそろえており、その製品は常に、競合他社を上回っています。
EPCの共同創立者でCEOのAlex Lidow、PhDは、現代の電力変換業界の先駆者の1人として知られています。半導体技術で21件の特許を取得したDr. Lidowは、International Rectifier Corporation（IR）でキャリアをスタートし、研究開発担当のバイス・プレジデントを務めた後、1995年から2007年までCEOを務めました。彼は、1986年の日米貿易協定に至った通商交渉において半導体産業協会（SIA）の代表を務め、半導体業界を代表して議会で何度も証言してきました。2015年には、より高効率なパワー・デバイスの商品化に対して、北米のSEMI賞を受賞し、2019年にはIEEE殿堂入りを果たしました。Dr. Lidowは、世界のエネルギー効率を30%向上させ、400億ドルの世界市場を創出したHEXFETパワーMOSFETの共同発明者として最もよく知られています。現在、Dr. LidowとEPCは、GaN 技術を通じて、Dr. Lidowが40年以上前に、開発に貢献した技術を置き換える準備を整えています。
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Aidan Ryan | [email protected]
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