窒化ガリウム・ベースの高電子移動度トランジスタ（HEMT）は、従来のシリコン・ベースのコンバータに比べて、材料とデバイスの利点が多いため、民生用と産業用の両方の電力変換に広く採用されています。GaNによって実現されるはるかに高いスイッチング周波数での電力変換効率の改善は、システム・コストの削減と電力密度の向上につながります。電力密度が増加するにつれて、放熱解析と熱モデリングが非常に重要になります。この記事では、Efficient Power Conversion（EPC）によって公開されたサーマル・カリキュレータ・ツールを調査します。EPCは、エンハンスメント・モードGaN HEMTと、多くのコンバータのビルディング・ブロックを形成するハーフブリッジなどの集積化した電力変換回路を製造しています。

米Power Electronics News誌
2023年11月
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