窒化ガリウム（GaN）FETは、パワー・エレクトロニクス業界に革命をもたらし、従来のシリコンMOSFETと比べて、小型サイズ、高速スイッチング、高効率、低コストなどの利点を提供します。ただし、GaN技術の急速な進化は、GaN専用のゲート・ドライバとコントローラの開発を上回る場合があります。したがって、回路設計者は、シリコンMOSFET向けに設計された汎用ゲート・ドライバを利用することが多く、最適な性能を確保するためにさまざまな要素を慎重に検討する必要があります。

独Bodo’s Power Systems
2024年2月
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