根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息，宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序（案件编号：4W116775）中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科（苏州）科技有限公司（以下简称英诺赛科公司）。

2024年4月2日の中国国家知識産権局（CNIPA）の公式ウエブサイトの情報によると、申立人の中国Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.（「Innoscience」）が請求した無効手続き中（事件番号：4W116775）のEfficient Power Conversion Corp（以下「EPC」）が所有する「Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same」（特許番号：ZL201080015388.2）というタイトルの中国特許の主要な請求項6、9、10、13、14、17、18、および22～26の有効性が担保されました。

相较于硅基产品来说，使用氮化镓的产品更高效，更轻巧且成本更低。此次被维持有效的核心权利要求涉及宜普公司独有的增强型氮化镓功率半导体器件的设计与制造工艺的核心技术。利用包括这些技术在内的多项创新，宜普公司成功地将基于氮化镓的功率器件从实验室推向了市场。

GaNベースの技術を使ったトランジスタや集積回路は、シリコン・ベースのデバイスを使った製品と比べて、高効率化、軽量化、低コスト化の点で優れています。上で述べたように有効とされる主な請求は、EPC独自のエンハンスメント・モードGaNベースのパワー半導体デバイスの設計および製造プロセスの中核技術をカバーしています。このような技術を含む複数のイノベーションによって、EPCはGaNベースのパワー・デバイスを研究室から市場に送り出すことに成功しました。

2023年5月，宜普公司向美国联邦法院和美国国际贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起了诉讼，主张其基础专利组合中的四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司英诺赛科公司的侵犯，其中包括前述中国专利ZL201080015388.2的美国同族。作为回应之一，英诺赛科公司于2023年9月针对宜普公司在中国的专利ZL201080015388.2向国家知识产权局提起了无效请求。

2023年5月、EPCは、米国連邦裁判所と米国際貿易委員会（ITC）に告訴状を提出し、Innoscience（Zhuhai） Technology Co., Ltd.とその関連会社であるInnoscienceが、中国特許ZL201080015388.2の米国版に含まれるその基礎的な特許ポートフォリオのうち4件の特許を侵害したと主張しました。これらの訴訟への対応の一環として、Innoscienceは2023年9月、EPCの中国相当特許ZL201080015388.2を無効にするようCNIPAに申請しました。

根据中国专利法，英诺赛科公司针对该无效决定可以在三个月内向北京知产法院提起诉讼。

Pursuant to the Chinese Patent Law, Innoscience may appeal this invalidation decision before the Beijing Intellectual Property Court within three months.