GaNの利用法：窒化ガリウム（GaN）トランジスタ技術の紹介 Posted 2013年6月4日 EPC社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）による新たな毎月のコラムの第1回は、GaNオン・シリコンのパワー・デバイスが成熟したパワーMOSFETの優れた代替品になることができるという考察が紹介されます。 米EEWeb.com誌 By: Alex Lidow 2013年6月 最も閲覧された関連記事 窒化ガリウム技術を探求する eGaN™-Silicon Power Shoot-Out: Part 1 Comparing Figure of Merit (FOM) How2 Get the Most Out of GaN Power Transistors GaN – the New Frontier for Power Conversion Master the Fundamentals of Your Gallium-Nitride Power Transistors