GaN 晶体管启程商用之路 Posted 2010年12月31日 自2004年GaN HEMT(高电迁移 率晶体管)问世以来,基于GaN材料 的新技术不断涌现,但由于成本偏 高和耗尽型 作的不方便,GaN晶体 管市场接受度一直受限,不过这一 局面有望得到改观。美国宜普公司 最近推出首款增强型硅基GaN功率晶 体管(简称eGaN FET),可专门用于 替代MOSFET,而且使用标准硅制 造技术和设备,可以低成本大批量 生产。 閱讀全文 最も閲覧された関連記事 GaNオン・シリコンのパワー・デバイス:シリコン・ベースのパワーMOSFETを不要にする方法 Si対GaN対SiC:私の電源設計には、どのプロセス、どのサプライヤがベストですか? GaNオン・シリコンに基づくFETが新しい用途を育てる Efficient Power Conversion:エンハンスメント・モード窒化ガリウム・トランジスタ EPC named to EDN Hot 100 Products