イベント

PCIM Asia 2024でGaNのエキスパートたちに会う

PCIM Asiaのホール11、スタンドF01にお立ち寄りいただき、GaNの技術、製品、アプリケーションに関する最新ニュースを入手してください。リクエストを[email protected]に送信して、PCIM中にあなたの設計について話し合うミーティングをスケジュールしてください。

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本会議：新世代の電気モーター駆動のためのGaN技術

講演者： Alex Lidow

GaNの信頼性と寿命予測

講演者： Alex Lidow

多くの広範なアプリケーションでGaNデバイスが急速に採用されるには、信頼性統計の継続的な蓄積と、GaNデバイスの故障の基本物理に関する調査が必要です。この講演では、さまざまな条件下で、デバイスに故障を引き起こさせるテストに基づいて、GaNデバイスの寿命を測定および予測するために使われる方策について説明します。この情報は、業界向けに強力で高性能な製品を形成するために使えます。

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実験的なマルチパルステストによるGaN FETモデルの検証

スピーカー: Vincenzo Barba

パワーエレクトロニクス設計において、電子スイッチのモデルを検証することは不可欠です。広帯域ギャップ技術の最新のトランジスタは、窒化ガリウムFET（GaN FET）です。 コンバータ設計にGaN FETを使用するために、いくつかのトランジスタモデルが開発されています。より正確なデバイス等価回路は、カーティスモデルとアンジェロフモデルに基づいています。 この論文では、通常オフのGaN FETのモデル記述と実験的な検証を扱っています。論文では、LTSpiceソフトウェアで実装されたモデルシミュレーションから得られた波形と実験波形を重ね合わせて比較することで、 検証が行われます。半橋構成のGaN FETを搭載した実験ボードを使用して、速いスイッチング性能と遅いスイッチング性能を考慮してデバイスをテストしました。 テスト中のGaN FETの電圧および電流波形を測定するために、複数のパルステストを実験的に実施しました。シャント抵抗、ロゴウスキーコイル、ホール効果電流プローブなど、 オン・オフ遷移中のトランジスタ電流を検知するためのさまざまな電流センサーソリューションが検討され、比較されました。得られた結果により、コンバータ設計者は、 静的およびスイッチング条件での実際の動作状況を満足のいく確実性を持ってシミュレートするために、モデルを使用して複雑なパワーコンバータトポロジをシミュレートすることができます。

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なんとも長くて奇妙な旅だった

講演者： Alex Lidow

GaNデバイス、この素晴らしいワイド・バンドギャップ半導体は、成熟したシリコンMOSFETを陳腐化に向けて加速させており、いくつかのアプリケーションで転換点を超えています。この基調講演では、パワーMOSFETが、既存のバイポーラ・トランジスタから電力変換分野を引き継いだことから始めて学んだ重要な教訓のいくつかを振り返るために、記憶をたどる短い旅をします。アプリケーションが、シリコンからGaNトランジスタに次々と置き換えられるにつれて、類似点と相違点が浮き彫りになるでしょう。最後に説明する今後数年間のロードマップは、これらの経験を反映したものです。

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WiPDA 2024でEPCのGaNのエキスパートたちと会ってください！

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electronica 2024で会いしましょう！

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