エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、5年以上も前から市販されています。市販のGaN FETは、最先端のシリコン・ベースのパワーMOSFETよりも、より高性能でより低コストになるように設計されています。この成果は、あらゆる技術が、性能とコストの両方に関してシリコンと対抗してきた60年の歴史で初めてのことであり、これは、尊敬に値するが成熟しているパワーMOSFETの究極の置き換えとなる兆しです。

米EDN誌
Alex Lidow
2015年2月18日