GaNによる電力変換 Posted 2020年11月3日 GaN技術は、大幅に改善されており、MOSFETの置き換えに最適なコストに達しました。2017年以降、48 V入力のDC-DCコンバータでのGaNの採用率は、市場で重要な暗示的な意味合いを帯び始めました。マルチフェーズやマルチレベルのバック(降圧型)などのさまざまな回路構成が、IT市場や自動車市場のエネルギー需要に応えるためのより高効率な新しいソリューションを提供しています。 米Power Electronics News誌 2020年11月 記事を読む 最も閲覧された関連記事 高密度サーバー向けGaN 48 Vのマイルドハイブリッド車向けの2 kWで48 V/12 Vの間の双方向パワー・モジュールのGaNベース設計 48 Vのマイルドハイブリッド車向け双方向パワー・モジュール eGaN FETは、48 Vから12 Vへの電力変換で4 kW/立方インチを超える電力密度を実現します Efficient Power Conversion(EPC)Corporationへのインタビュー