半導体を放射線の影響から絶縁するために特定の製造プロセスとパッケージングが必要なシリコンとは異なり、GaNデバイスは、その物理的特性と構造によって、宇宙放射線によって引き起こされる損傷に対して大きな耐性があります。EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）とのインタビューで、Power Electronic News誌は、宇宙用途向けのGaNの特徴を発見しました。

米Power Electronics News誌
2021年9月
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